SI2314EDS-T1-E3
Vishay Siliconix
Deutsch
Artikelnummer: | SI2314EDS-T1-E3 |
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Hersteller / Marke: | Vishay / Siliconix |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 20V 3.77A SOT23-3 |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $0.83 |
10+ | $0.728 |
100+ | $0.5579 |
500+ | $0.441 |
1000+ | $0.3528 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 950mV @ 250µA |
Vgs (Max) | ±12V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | SOT-23-3 (TO-236) |
Serie | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 33mOhm @ 5A, 4.5V |
Verlustleistung (max) | 750mW (Ta) |
Verpackung / Gehäuse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14 nC @ 4.5 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 3.77A (Ta) |
Grundproduktnummer | SI2314 |
SI2314EDS-T1-E3 Einzelheiten PDF [English] | SI2314EDS-T1-E3 PDF - EN.pdf |
MOSFET N-CH 20V 3.77A SOT23-3
SI2314DS VISAHY
VISHAY SOT-23
SI2314EDS VISHAY
MOSFET N-CH 20V 3.77A SOT23-3
VISHAY 1253+
P-CHANNEL 1.8-V (G-S) MOSFET
SI2314DS-T1-GE3 VISHAY
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Zielpreis (USD)
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